DYVOCE(ダイボス)シリーズ 自動機 C to C
CtoC 自動搬送機対応 表面形状/厚さ測定装置 DY-2000RC/DY-3000RC
■ 装置の概要
■ 製品紹介動画
■ 形状/厚さ用の数多くの測定センサが搭載可能
様々な変位/厚さ測定用のセンサが搭載可能ですので、お問い合わせください。
■ 様々な材質のサンプルの測定実績
下のリストに記載の通り様々な材料の測定実績がございます。
また、サンプル測定を随時実施しておりますので、お問い合わせください。
☆ Measurement Examples
Category | Material / Article | Status | Size | Mesurment Items※1※2 | |||||||
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XY | T | Surface Profile | SORI | BOW | WARP | Thickness | TTV | GBIR | |||
Semiconductor (Wafer) |
Si SIC GaN Sapphire(Al2O3) Ga2O3 GaAs Si3N4 LT(LiTaO3) LN(LiNbO3) Glass Crystal(SiO2) InP AlN Diamond(C) CdTe |
Polished Grinded CoinRoll As Slice Etched Patterned Laminated Bonded CVD TAIKO MEMS |
<Φ12inch | 1<T<800 [um] | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
Semiconductor (Plastic) |
Plastic Film Redin Resist Glue |
Laminated Bonded |
<Φ12inch | 1<T<2000 [um] | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ |
※1 材質・表面状態により計測可能な項目が変わる場合がございます。サンプル測定が可能ですので、お問い合わせください。
※2 特注装置を設計・製作することにより、通常は計測出来ない項目でも計測が可能となる場合がございますので、お問い合わせください。
■ Φ300mm(12inch)までのウェハの測定が可能
φ200mm以下のウェハ用オープンカセット仕様やΦ300mmウェハ用のFOUPオープナ仕様のほか、 セットできるカセットの個数の変更など、カスタム対応が可能です。
■ スパイラルスキャンでの高速測定
ウエハを高速でスパイラルスキャンすることで、全面を高スループットで測定することが可能です。
■ SEMI準拠の安全設計
本装置は安全にご使用いただけるよう、各安全規格に対応した設計となっています。
■ semi規格測定などの解析項目に対応
〇 解析ソフトウェア
測定データを用いての2D/3D 断面形状プロファイルの等の各種計測や Semi規格の「SORI」・「Bow」・「Warp」・「GBIR」などの様々な解析を行います。 CSV ファイルへのエクスポートや報告書作成に便利なレポート出力も可能です。
〇 自重たわみ補正
測定データを用いてウエハの自重起因のたわみを補正することにより、ウエハ本来のたわみデータを算出できます。 特に薄いウエハ・大口径ウエハに有効です。
☆両面差分モード
ウエハの裏表両面の表面形状を測定し、そのデータの差分から自重たわみの影響を消した補正データをつくります。
☆理想モデル差分モード
有限要素法により作成した自重たわみを含むウエハの理想モデルと測定データの差分から 自重たわみの影響を消した補正データをつくります。
■ 基準ゲージを用いた補正機能
〇 基準平面基板による補正(マッピング補正)
基準平面基板の表面高さデータを事前に測定し、補正データとして使用します。 その補正データを実際のワークの測定データから差し引くことにより、 スキャンステージの持つ微小な揺動を補正して、ワークの真値に近づけます。 特に反りの小さなワークの測定に有効です。
■ 成膜後の応力測定アプリケーション(オプション)
〇 膜応力分布の測定ソフトウェア
成膜前後のSORI形状の測定データを用いて、ウェハの直径方向に対して解析ラインを指定し、 それぞれのデータの曲率半径と設定パラメータに応じた膜応力の分布を算出します。 また、断面ごとのプロファイルデータの算出やレポート出力もおこなえます。
■ CtoC 自動搬送機対応 表面形状/厚さ測定装置 DY-2000RC/DY-3000RC データシート
製 品 名 | CtoC 自動搬送機対応 表面形状/厚さ測定装置 |
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型 式 | DY-2000RC-xxx |
DY-3000RC-xxx |
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対応ワークサイズ | ø 4 / 6 / 8 [inch] |
ø 300 [mm] |
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外 観 | |||
測定項目 | 表面形状・厚さ・Semi規格測定(SORI/ BOW/WARP/GBIR 他) |
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測定対象 |
Si / SiC / GaN / Ga2O3/ LT / LN / GaAS 等の半導体ウェハのそり・厚さ |
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対応環境 | クリーンルーム ISO Class 1 (ISO 14644-1) |
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最小分解能 | (XY) | 1.000 [mm] |
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(Z) | 0.01 [um]※1※2 |
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スループット | 約60 sec/枚 (Pitch: θ - 2deg, X - 4mm, 2rps の場合) ※3 |
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主な構成 |
◎ 装置本体(測定機構 / 変位センサ / 制御機器 / PC / 安全対策カバー) |
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ポート数 | 2 基以上 |
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I D | QRコード or RF-ID |
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カセット搬送 | OHT or ストッカ |
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安 全 性 | SEMI S2 / S8, IEC 1602040-1, ISO 12100 |
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通 信 | SECS / GEM |
SECS / GEM300 |
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ユーティリティ | 電 源 | 1ø 200V 20A |
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正 圧 | 10.6MPa 80L/min以上 ø8㎜ ワンタッチコネクタ |
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負 圧 | 10.6MPa 80L/min以上 ø8㎜ ワンタッチコネクタ |
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真空排気 | ø8㎜ ワンタッチコネクタ |
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排 気 | ø100mm ダクトホース用フランジ |
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ド レ ン | ø8㎜ ワンタッチコネクタ |
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サ イ ズ | W:1555 × D:2103 × H:1640(表示灯含む 1876)[mm] |
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重 量 | 約 2,2000kg |
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価格/納期 | ASK |
※1 測定最小分解能は、搭載されたセンサにより変更になる場合があります。
※2 本装置は、輸出該当品となります。
※3 測定測度(最大)は、搭載されたセンサのサンプリング周期により遅くなる場合があります。
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